职位描述
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工作职责:1. 负责3D NAND器件结构研发、测试、数据分析 2. 负责存储器器件工艺及电性分析,器件工艺参数优化3. 负责NAND flash存储器产品器件的可靠性验证和分析 任职资格:1. 学历:微电子/物理/电子科学与技术/材料等专业硕士及以上2. 工作年限:1年以上MOS 或 NOR flash或NAND flash 器件开发和数据分析经验或WAT测试相关经验3. 掌握扎实的半导体器件物理和半导体集成电路工艺制备知识4. 熟练掌握excel处理数据或Python编程或Matlab 编程三者之一5. 有4082测试相关经验者优先6. 良好的 沟通能力, 阅读英文文献能力,和书面表达能力7. 待人诚恳,做事积极主动,工作严谨,责任心强,独立的思考能力和分析总结能力
职能类别:半导体器件工程师
工作地点
地址:武汉武汉


职位发布者
HR
长江存储科技有限责任公司

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电子技术·半导体·集成电路
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1000人以上
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公司性质未知
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东湖开发区高新四路18号
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